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四探針測(cè)試儀 GSZ-RTS-4（SDY-4替代） 功能作用
發(fā)布時(shí)間：2015-06-26瀏覽次數(shù)：1297返回列表
四探針測(cè)試儀/四探針電阻率測(cè)試儀/四探針檢測(cè)儀/單測(cè)四探針檢測(cè)儀(不能接電腦） 型號(hào)：GSZ-RTS-4（SDY-4替代）
GSZ-RTS-4型數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的，專(zhuān)用于測(cè)試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的專(zhuān)用儀器。
儀器由主機(jī)、測(cè)試臺(tái)、四探針探頭、計(jì)算機(jī)等部分組成，測(cè)量數(shù)據(jù)既可由主機(jī)直接顯示，亦可由計(jì)算機(jī)控制測(cè)試采集測(cè)試數(shù)據(jù)到計(jì)算機(jī)中加以分析，然后以表格，圖形方式統(tǒng)計(jì)分析顯示測(cè)試結(jié)果。
儀器采用了新電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)、裝配。具有功能選擇直觀、測(cè)量取數(shù)快、精度高、測(cè)量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點(diǎn)。
本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能測(cè)試。
GSZ-RTS-4型四探針軟件測(cè)試系統(tǒng)是一個(gè)運(yùn)行在計(jì)算機(jī)上擁有友好測(cè)試界面的用戶(hù)程序，通過(guò)此測(cè)試程序輔助使用戶(hù)簡(jiǎn)便地進(jìn)行各項(xiàng)測(cè)試及獲得測(cè)試數(shù)據(jù)并對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析。
測(cè)試程序控制四探針測(cè)試儀進(jìn)行測(cè)量并采集測(cè)試數(shù)據(jù)，把采集到的數(shù)據(jù)在計(jì)算機(jī)中加以分析，然后把測(cè)試數(shù)據(jù)以表格，圖形直觀地記錄、顯示出來(lái)。用戶(hù)可對(duì)采集到的數(shù)據(jù)在電腦中保存或者打印以備日后參考和查看，還可以把采集到的數(shù)據(jù)輸出到Excel中，讓用戶(hù)對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行各種數(shù)據(jù)分析
技術(shù)參數(shù)：
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測(cè)量范圍
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電阻率：0.0001～2000Ω.cm(可擴(kuò)展)； 方塊電阻：0.001～20000Ω/□(可擴(kuò)展)； 電導(dǎo)率：0.0005～10000 s/cm； 電阻：0.0001～2000Ω.cm； |
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可測(cè)晶片直徑
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140mmX150mm(配S-2A型測(cè)試臺(tái))； 200mmX200mm(配S-2B型測(cè)試臺(tái))； 400mmX500mm(配S-2C型測(cè)試臺(tái))； |
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恒流源
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電流量程分為0.1mA、1mA、10mA、100mA四檔，各檔電流連續(xù)可調(diào) |
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數(shù)字電壓表
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量程及表示形式：000.00～199.99mV； 分辨力：10μV； 輸入阻抗：>1000MΩ； 精度：±0.1% ； 顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；性、超量程自動(dòng)顯示； |
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四探針探頭基本指標(biāo)
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間距：1±0.01mm； 針間緣電阻：≥1000MΩ； 機(jī)械游移率：≤0.3%； 探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm； 探針壓力：5～16 牛頓(總力)； |
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四探針探頭應(yīng)用參數(shù)
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(見(jiàn)探頭附帶的合格證) |
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模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差
( 按JJG508-87進(jìn)行) |
0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字 |
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整機(jī)測(cè)量大相對(duì)誤差
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(用硅標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測(cè)試)≤±5% |
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整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度
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≤5% |
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計(jì)算機(jī)通訊接口
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并口 |
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標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境
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溫度：23±2℃； 相對(duì)濕度：≤65%； 無(wú)高頻干擾； 無(wú)強(qiáng)光直射； |
