摘要：少子壽命測(cè)試儀的測(cè)量和分析，它的功能比較強(qiáng)大，從以下的分析中得出何種結(jié)論，小編詳細(xì)介紹。

　　、少子壽命測(cè)試儀功能強(qiáng)大

　　少子壽命測(cè)試儀(HS-CLT)，是一款功能強(qiáng)大的少子壽命測(cè)試儀，不僅適用于硅片少子壽命的測(cè)量，更適用于硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶等多種不規(guī)則形狀硅少子壽命的測(cè)量。少子測(cè)試量程從1μs到6000μs，硅料電阻率下限達(dá)0.1Ω.cm(可擴(kuò)展至0.01Ω.cm)。測(cè)量系統(tǒng)不需要做表面鈍化就能直接測(cè)量單晶和多晶硅(錠或塊)的少子壽命。

　　1.因?yàn)樯僮訅勖鳛楹饬可L(zhǎng)和缺陷含量的的敏感的參數(shù)，這個(gè)工具直接獲得長(zhǎng)硅的質(zhì)量參數(shù)。

　　2.作為易于使用的測(cè)量工具--BLS，只需要有直徑150mm大小的平面。

　　第二、少子壽命測(cè)試儀的測(cè)量和分析

　　1.少子壽命測(cè)試儀器采用了的測(cè)量和分析，包括類(lèi)似平穩(wěn)狀態(tài)photoconductance 測(cè)量方法?？伸`敏地反映單晶體重金屬污染及陷阱效應(yīng)表面復(fù)合效應(yīng)等缺陷情況。WCT一個(gè)高度被看待的研究和過(guò)程工具。QSSPC終身測(cè)量也產(chǎn)生含蓄的打開(kāi)電路電壓曲線(xiàn)，與后的I-V曲線(xiàn)是可比較的在一個(gè)太陽(yáng)能電池過(guò)程的每個(gè)階段。

　　2.準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)衰減法和微波光電導(dǎo)衰減法的比較

　　方法于其他測(cè)試壽命方法的一個(gè)重要之處在于它能夠在大范圍光強(qiáng)變化區(qū)間內(nèi)對(duì)過(guò)剩載流子進(jìn)行測(cè)量，同時(shí)可以結(jié)合 SRH模型，得出各種復(fù)合壽命，如體內(nèi)缺陷復(fù)合中心引起的少子復(fù)合壽命、表面復(fù)合速度等隨著載流子濃度的變化關(guān)系。

　　第三、少子壽命測(cè)試儀從以上得出結(jié)論

　　結(jié)合理論計(jì)算可以得出少子壽命隨著過(guò)剩載流子的變化曲線(xiàn)，而QSSPC直接就能夠測(cè)得過(guò)剩載流子濃度，因此可以直接得出少子壽命與過(guò)剩載流子濃度的關(guān)系曲線(xiàn)，并且得到PN結(jié)的暗飽和電流密度;MWPCD由于使用的脈沖激光的光斑可以做到幾個(gè)到十幾個(gè)，甚至更小的尺寸，在照射過(guò)程中，只有這個(gè)尺寸范圍的區(qū)域才會(huì)被激發(fā)產(chǎn)生光生載流子，也就是得到的結(jié)果是局域區(qū)域的差額壽命值，這對(duì)于壽命分布不均勻的樣品來(lái)說(shuō)，結(jié)果并不具備代表性。