射頻磁控濺射鍍膜裝置 型號:DH-RM-1
射頻磁控濺射鍍膜裝置 主要用途:本設(shè)備主要用于大專院校研究和開發(fā)納米單層膜;如各種硬質(zhì)膜、金屬膜;也可以是非金屬、化合物等薄膜材料??梢孕兄苯訛R射,亦可以實現(xiàn)反應濺射。
射頻磁控濺射鍍膜裝置 主要特點:結(jié)構(gòu)簡捷、操作簡便,真空度維護,安。
鍍膜機應安裝在干凈無塵埃、無腐蝕性氣體的室內(nèi),并具備清潔水源、及220V的穩(wěn)定電壓等條件的地方。
1、地面的基本水平度要經(jīng)過調(diào)整,不得低不平;
2、環(huán)境溫度:10℃~30℃;
3、相對濕度:不大于75%;
4、耗水量(水溫度≤25℃,2.5Kg≥水壓≥1.5Kg):約0.2T/h;
5、水質(zhì)要求:
矽酸硬度<6度,PH值:7-8,電導率:200us/cm,沉積率:<200mg/L。
6、電壓: 220V,50HZ,
電壓波動范圍: 198~231V;
頻率波動范圍:49~51Hz;
7、水壓:0.3~1Kg/cm2或0.03~0.1MPa/cm2;
8、充入氣體純度99.9%或以上;
9、鍍膜用耗材純度99.9%或以上。
北京恒奧德儀器儀表有限公司
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設(shè)備規(guī)格參數(shù)
1.1、濺射處理室:
1、鐘罩:內(nèi)徑225mm×度260mm;
2、試樣臺:直徑80mm(zui大);
3、試樣旋轉(zhuǎn):靜止;
4、擋板:手動;
5、襯底加熱器:不銹鋼加熱器(DC24V);
6、襯底溫度范圍:室溫~200℃;
7、襯底可調(diào)距離:20mm~60mm;
8、濺射室限真空:0.5Pa
1.2、真空系統(tǒng):
1、抽氣系統(tǒng):由機械泵組成的真空系統(tǒng);抽氣速率:4升/S
2、真空檢測:電阻真空計、電阻規(guī);
3、常用真空度:1~20Pa
4、操作:手動
1.3、濺射電源:
1、射頻電源:頻率13.560MHZ,率:500W,用表示;
2、阻抗匹配器范圍:(2.7~45)Ω-j(0~70)Ω;
3、供電:AC 220V;
4、冷卻方式:風冷;
1.4、 磁控靶:
1、靶材直徑:Ф50mm、 個磁靶;
2、靶材厚度:3~6mm;
1.5、氣系統(tǒng):2路轉(zhuǎn)子流量計氣,
1.6、電源要求:AC 220V 50Hz 10A
1.7、氣體要求:氬氣--純度99.9%(樣品有特殊要求時使用純)
1.8、冷卻要求:靶體水冷,濺射電源風冷
1.9、體積重量:體積:L550mm×W680mm×H1480mm;約120kg