NDR-4000（A）全自動DRIE深反應(yīng)離子刻蝕

NDR-4000（A）全自動DRIE深反應(yīng)離子刻蝕概述：全自動上下載片，帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺的深硅刻蝕系統(tǒng)，帶8\" ICP源。系統(tǒng)可以配套500L/S抽速的渦輪分子泵，可以使得工藝壓力達(dá)到幾mTorr的水平。在低溫刻蝕的技術(shù)下，系統(tǒng)可以達(dá)到硅片的高深寬比刻蝕。

那諾-馬斯特中國有限公司成立于2015年4月，是服務(wù)大中華區(qū)(包含中國大陸，香港，臺灣和澳門)的客戶，同時我們在中國大陸設(shè)有專門的服務(wù)辦公室，提供銷售和售后技術(shù)服務(wù)。 那諾-馬斯特中國的主要產(chǎn)品包括薄膜沉積設(shè)備、薄膜生長設(shè)備、干法刻蝕設(shè)備、兆聲濕法清洗設(shè)備及太空模擬測試設(shè)備等等。Nano-Master的前身是那諾-馬斯特美國，該公司是法國那諾-馬斯特有限公司于1992年在美國所創(chuàng)立的全資子公司，是一家的缺陷檢測和高速鍍層測量的計量公司。自從1993年開始Birol Kuyel博士全面接管那諾-馬斯特美國并正式名。 自2001年Nano-Master開始設(shè)計開發(fā)薄膜應(yīng)用方面的設(shè)備，正式面世的系統(tǒng)依次是磁控濺射、PECVD、晶圓/掩模版清洗系統(tǒng)…。應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋了半導(dǎo)體、MEMS、光電子學(xué)、納米技術(shù)和光伏等。我們的設(shè)備包含用于二氧化硅、氮化硅、類金剛石和CNT沉積的PECVD，用于InGaN、AlGaN生長的PA-MOCVD，濺射鍍膜(反應(yīng)濺、共濺 、組合濺)，熱蒸發(fā)和電子束蒸發(fā)，離子束刻蝕和反應(yīng)離子刻蝕，原子層沉積，兆聲清洗以及光刻膠剝離等。三十年左右的時間內(nèi)Nano-Master已經(jīng)發(fā)展成為全球薄膜設(shè)備的供應(yīng)商，已售出的幾百套設(shè)備分布于20多個不同國家的大學(xué)、研發(fā)中心和國家重點(diǎn)實驗室。 我們聘用技術(shù)熟練并具有良好教育背景的設(shè)計和制造工程師、應(yīng)用工程師、服務(wù)工程師、技術(shù)支持人員，使得公司擁有的服務(wù)團(tuán)隊。作為薄膜工藝的設(shè)備提供商，我們的目標(biāo)是提供高品質(zhì)的服務(wù)并始終維持高水平的集成度。

NDR-4000（A）全自動DRIE深反應(yīng)離子刻蝕概述：全自動上下載片，帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺的深硅刻蝕系統(tǒng)，帶8" ICP源。系統(tǒng)可以配套500L/S抽速的渦輪分子泵，可以使得工藝壓力達(dá)到幾mTorr的水平。在低溫刻蝕的技術(shù)下，系統(tǒng)可以達(dá)到硅片的高深寬比刻蝕。

NDR-4000（A）全自動DRIE深反應(yīng)離子刻蝕主要特點(diǎn)：

• 基于PC控制的緊湊型立柜式百級DRIE深硅刻蝕系統(tǒng)，擁有高縱橫比的刻蝕能力；

• 配套Lab View軟件，菜單驅(qū)動，自動記錄數(shù)據(jù)；

• 觸摸屏監(jiān)控；

• 全自動系統(tǒng)，帶安全聯(lián)鎖；

• 四級權(quán)限，帶密碼保護(hù)；

• 自動上下載片；

• 帶Load Lock預(yù)真空鎖；

• He氣背面冷卻，-60攝氏度的低溫樣品夾具；

• 高達(dá)-1000V的外部偏壓；

• 渦輪分子泵 + 渦旋干泵；

• 可以支持DRIE和RIE兩種刻蝕模式；

• 實時顯示真空、功率、反射功率圖表，以及流量實時顯示；

  
  

NDR-4000（A）全自動DRIE深反應(yīng)離子刻蝕配置內(nèi)容：

• 外觀尺寸：緊湊型立柜式設(shè)計，不銹鋼腔體，外觀尺寸為28”(W) x 42”(L) x64”(H)；

• 等離子源：NM ICP平面等離子源，帶淋浴頭氣體分布系統(tǒng)。等離子源安裝在腔體頂部，通過ISO250的法蘭連接；

• 處理腔體：13”圓柱形鋁質(zhì)腔體，自動上下載片，至大支持6”（可以升級腔體支持更大基片）。腔體帶有2”的觀察窗口。腔體頂部的噴嘴式氣流分配裝置，提供8”區(qū)域的氣體均勻分布。系統(tǒng)帶暗區(qū)保護(hù)。

• 樣品臺：6”的托盤夾具，能夠支持6”的Wafer?？梢岳鋮s到-120攝氏度（包含LN2循環(huán)水冷系統(tǒng)），并采用He氣實現(xiàn)背部冷卻和自動鎖緊，微精細(xì)地控制He氣流量，包含氣動截止閥；

• 流量控制：支持5個或更多的MFC’s 用于硅的深度刻蝕，帶氣動截止閥，所有的慢/快通道采用電磁閥和氣動閥控制，電拋光的不銹鋼氣體管路帶有VCR和VCO(壓控振蕩器)配件，所有導(dǎo)管以盡可能短的導(dǎo)軌密封設(shè)計，從而減低空間浪費(fèi)并達(dá)到快速的氣路切換。所有處理氣體的管路在處理結(jié)束后，采用N2自動沖洗。

• 真空系統(tǒng)：泵組包含渦輪分子泵和旋葉真空泵。

• RF電源：13.56MHz，帶自動調(diào)諧功能的1000W射頻電源，作為ICP源。另外，帶自動調(diào)諧功能的600W射頻電源用于基臺偏壓。

• 操作控制：整個系統(tǒng)通過預(yù)裝的Lab View軟件和觸摸監(jiān)控系統(tǒng)，實現(xiàn)PC全自動控制。MFC,閥和頂蓋都是氣動式的，都可PC控制。系統(tǒng)的實時壓力和直流自偏壓以圖表格式顯示，而流量和功率則以字母數(shù)字形式顯示。系統(tǒng)提供密碼和安全連鎖機(jī)制的四級權(quán)限控制。

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